兆易创新将于上半年推出19nm DDR4 最新车规MCU计划年底量产

近日，兆易创新接连发布两篇投资者调研报告。根据信息，兆易创新2021年第一季度营收、净利润均取得较大幅度增长，MCU收入同比增长超过2倍。在产品研发方面，兆易创新计划2021年上半年推出首颗 19nm DDR4产品。对于外界关切的“缺芯”问题，兆易创新表示，最新车规MCU产品预计下半年流片，年底量产。

2021年第一季度，兆易创新营收16.04亿元，同比增长 99.13%；净利润为3.01亿元，同比增长79.43%。公司各条产品线的收入同比2020年第一季度均有较大幅度增长，其中MCU收入同比增长约247%。

车规MCU是本次汽车“缺芯潮”的重灾区。车辆的动力总成、变速箱、仪表盘、娱乐系统等多种元器件和系统控制均基于MCU进行感测和控制，平均一辆车使用的MCU在70颗以上。但凡有一颗MCU缺货，就会卡住整车的生产。

对于各方高度关注的车规MCU，兆易创新表示，公司最新MCU车规产品将在2021年六七月份开始流片，计划年底进入量产。公司将针对不同需求、市场以及前装、后装等不同领域，进一步加大力度，拓展 MCU 产品在汽车领域的应用。

5G的拉动和消费电子市场回暖，推动DRAM备货需求走高。Trendforce集邦咨询预测，第二季度DRAM整体均价增长18—23%。DRAM暌违两年的增长态势将为存储厂商带来机遇。

兆易创新表示，计划 2021 年上半年推出首颗 19nm 的DDR4 产品，首批产品面向IPTV 等传统消费电子，17nm DDR3 计划晚一些推出。此前，兆易创新募集资金用于研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，将设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。

在晶圆产能普遍吃紧的大环境下，厂商的供应稳定性也受到业界关注。兆易创新表示，公司和晶圆厂的紧密合作为公司带来稳定产能，2021年公司获得的产能（晶圆片数量）增量预估在30%以上。在 DRAM 产品上，将采取Fabless 和 IDM 紧密合作的Virtual IDM 模式，与合肥长鑫保持紧密合作。

目前，兆易创新围绕“感（传感器）、存（包括DRAM、Flash和新型存储器）、算（计算，尤其是边缘计算）、控（MCU生态）、连（连接领域）”开展研发，各个产品线研发均在按计划进行。

随着消费电子、物联网、工业互联、汽车电子等应用需求快速增长，以及供应链本土化的趋势，兆易创新预计第二季度的市场需求向好，2021 年上半年的累计净利润较 2020 年上半年可能存在较大增幅变动。公司对2021年上半年及全年整体经营情况保持乐观预期。